
在过去数十年中,半体光刻技术直被视为现代工业皇冠上的明珠。荷兰ASML凭借在EUV光刻技术上的对垄断,不仅掌控了全球制程芯片的生大权,成为全球科技地缘博弈的暴风眼。然而,步入2026年,这看似坚不可摧的单霸权格局正在发生刻而复杂的裂变。
从日本光学巨头尼康悍然发动紫外DUV价格战,到美国新创公司Substrate宣称突破X射线微影瓶颈并扬言直面挑战台积电;从韩国存储巨头对ASML设备的大手笔购,到台积电对价High-NA EUV光刻机的态度——全球光刻产业正迎来场多维度、层次的技术与商业大洗。
01
尼康的“降维反击”
2026年5月底,尼康新任总裁兼CEO大村泰弘在接受访时公开宣布:尼康将通过大幅降低ArF浸没式光刻机售价,正面挑战ASML在DUV域的垄断地位。
这策略既是主动的战略反击,也是被逼至悬崖边缘的求生之举。2026年3月,尼康发布了其自1917年创立以来惨烈的亏损预警——2025财年预计净亏损850亿日元,创百年差纪录。在截至2025年3月的过去半年中,尼康光刻机出货量仅为9台,且全部为技术含量较低的成熟制程设备;ArF系统出货量甚至为。曾在2001年占据全球光刻市场40份额、与英特尔度绑定的光刻霸主,如今市占率已跌至个位数。
大村泰弘响价格战的底气,源于尼康度自主化的产业链。他在访中指出,尼康许多核心部件均为内部生产,这使得公司在成本控制上拥有优势,即便大幅降价销售,依旧能够保证可观的利润。据业内估,尼康新型ArF光刻机售价有望比ASML同类产品低20至30。
这策略切中了晶圆代工厂的核心痛点。尽管EUV光刻机在3nm及以下制程中不可或缺,但在实际生产中,即使是的3nm芯片,过70的光刻工序仍由ArF浸没式光刻机配多重曝光技术完成。目前ASML的端ArF浸没式设备均价约为8250万美元,对于需要大规模扩产的晶圆厂而言,设备采购成本在资本支出中占比。尼康若能提供能相当但便宜20以上的替代案,将为晶圆厂节省巨额投资。
为消客户的后顾之忧,尼康采取了"兼容"策略。据悉,尼康计划在2028财年出新代ArF浸没式平台,该平台配备全新镜头和晶圆台长沙pvc管道胶水,关键的是能够与ASML现有产线设备实现缝兼容——晶圆厂需重新修改工艺参数即可直接引入。目前尼康正与美国和亚洲多芯片厂商洽谈,部分作已接近签署采购订单。
不过,光刻设备采购决策其保守,晶圆厂对良率和稳定的要求远于对价格的敏感度。大村泰弘本人也坦承,除英特尔外,尼康在其他客户中缺乏足够的业绩记录,且售后支持能力尚未赢得市场广泛信任。能否在短期内重建客户信心,是这场价格战成败的关键变量。
02
初创公司的“技术奇袭”
在尼康试图通过价格战分食DUV存量市场的同时,美国初创公司则试图通过技术范式的革命,从底层颠覆ASML赖以生存的EUV帝国。
2026年5月,美国新创公司Substrate宣称已成功突破X射线微影技术瓶颈。该公司扬言将以仅5000万美元的设备工具成本,挑战ASML造价近5亿美元的High-NA EUV光刻机,并直接在晶圆代工市场与台积电、三星展开竞争。
X射线微影在过去数十年中直法走出实验室,核心原因在于其穿透力强、难被反射或聚焦,且产生强度X射线所需的同步加速器设备往往长达数百米,根本法容纳于现代晶圆厂的洁净室中。Substrate的突破在于将紧凑型粒子加速器直接集成到微影系统中,利用射频腔将电子加速至接近光速,再通过精确排列的磁场结构产生度聚焦的X射线——相当于将数百米周长的同步加速器原理压缩至工厂厂房尺度。
根据Substrate公布的初步数据,该技术已实现12纳米特征尺寸的印能力,全晶圆CD偏差仅0.25纳米,精度达到原子别。关键的是,X射线的短波长使其可对所有芯片层采用单次曝光案,取代目前EUV和DUV产线中其复杂的多重曝光制程。其商业模式同样激进——不光刻机,而是自建晶圆厂直接提供代工服务,直面台积电和三星。
另条路径则是对EUV光源本身的升。6月2日,美国商务部与国标准技术研究所(NIST)正式签署终协议,根据《芯片与科学法案》向激光技术公司xLight提供1.5亿美元联邦激励资金,支持其在纽约阿尔巴尼纳米科技中心建设并演示个自由电子激光原型机。
传统EUV光刻机通过激光照射锡滴产生13.5纳米光源,每台设备配备套立且率有限的光源系统。xLight开发的FEL技术则通过能电子束产生功率的相干光源,可将光源系统移至晶圆厂外部长沙pvc管道胶水,同时为多达16台光刻扫描仪供光,大幅提升现有EUV产线的产能与良率。xLight CEO Nicholas Kelez表示:"光刻创新是复兴摩尔定律的关键。"
同日,从ASML分拆出来的量测公司Invisix也宣布完成额认购的2000万欧元种子轮融资,投资包括日立创投、imec.xpand和斗山投资等。该公司利用软X射线进行非破坏通量3D量测,解决制程中"看不见就造不出"的良率瓶颈。这技术在ASML内部孵化过十年,已与英特尔和imec作验证了下代GAA晶体管架构的测量能力。
尽管这些前沿技术描绘了诱人蓝图,但产业界仍保持谨慎。X射线的能量意味着现有光刻胶、掩模版及光学元件材料在照射下会迅速降解,万能胶厂家行业须从重建整套材料体系。从实验室到量产,EUV技术走了近二十年,这些前沿技术距离真正的商业化量产也至少还需五年以上。
03
ASML的“冰火两重天”
作为行业对霸主,ASML正处于种奇特的"冰火两重天"境地。
从财务数据看,ASML依然维持着强大的统力。2026年季度,ASML实现总净销售额88亿欧元,净利润28亿欧元,毛利率达53,全年营收指引上调至360亿至400亿欧元。韩国以45的营收占比跃升为ASML全球大市场。2026年3月,SK海力士向ASML抛出价值69亿欧元的EUV大单,以确保其在HBM4等下代AI存储芯片竞争中的技术先。三星电子亦斥资1.1万亿韩元购入两台二代High-NA EUV光刻机。
资本市场对ASML的信心在6月初达到新。6月3日,摩根士丹利将ASML目标价从1400欧元大幅上调至1660欧元,维持"增持"评,预计ASML 2027年将交付90台EUV,2028年达到104台(含8台High-NA)。同日,摩根大通发表为乐观的预测,认为ASML通过缩短制造周期、转用研发洁净室、将High-NA产能转为Low-NA等四种路径,2027年Low-NA EUV实际交付能力可突破110台,远此前市场保守预计的80台上限。摩根大通明确指出,市场对ASML 2027和2028年的盈利预期"实质偏低,需要大幅上修"。
然而,在繁华的财务数据与投行赞歌背后,ASML的技术结晶——售价4亿美元的High-NA EUV光刻机,正面临大客户台积电具现实主义的审视。
2026年6月4日,在台积电年度股东常会上,董事长兼总裁魏哲亲自出面,针对外界关于"台积电因成本过拒投资High-NA EUV"的传言进行了公开澄清。魏哲次透露,台积电早已购入High-NA EUV设备,并已在研发中心展开积使用与测试。他甚至幽默地对股东表示:"我们已经买了,数量说出来都有点不好意思。"
但魏哲随即明确了台积电的商业底线——已买,但暂不投入量产。他解释称,High-NA EUV至今未入大规模量产,原因纯粹在于"成本过"。台积电计划于2029年出的A13和A12制程,将继续依赖现有标准EUV多重曝光技术。只有当设备运行成本下降、能让客户在商业上真正受益时,才会入量产线。
这策略与英特尔形成鲜明对比。英特尔在其14A节点绑定High-NA EUV,计划2027至2028年率先量产。台积电则选择榨取现有Low-NA设备的折旧红利与工艺限,维持达53以上的毛利率。对ASML而言,台积电的"已买暂不用"意味着High-NA的量产出货爆发期将被迟两到三年,昂研发成本的回收周期被拉长。
层的隐忧来自地缘政。随着出口管制的步步紧逼,大陆市场在ASML营收占比已从2024年的41骤降至2026年季度的19。ASML CEO富凯在5月的比利时安特卫普峰会上留下了意味长的比喻:"如果我把你放到沙漠里,告诉你以后再也没有食物来源了——你需要多久才能自己开垦出块菜园?"这既是对被迫自研的客观描述,也是ASML对自身失去大增量市场的隐忧。
04
结语
SEMI新预测显示,全球半体制造设备销售额将从2025年的1330亿美元增长至2027年的1560亿美元。市场研究机构预计,全球EUV光刻市场规模将从2025年的105亿美元增长至2035年的739亿美元,年复增长率约21.6。台积电魏哲在6月4日股东会上强调,"数年内芯片供不应求的局面都法缓解",2026年资本支出将偏向560亿美元的上限。
在这庞大的需求洪流中,光刻产业的格局正在被四股力量重新定义。其,尼康的ArF成本战,试图降低晶圆厂扩产门槛。其二,Substrate的X射线微影与xLight获得1.5亿美元联邦资助的自由电子激光,正试图从底层改写光源交付模式与代工准入门槛。其三,台积电以"已买暂不用"的姿态对待High-NA EUV,选择榨取现有Low-NA设备的折旧红利。其四,出口管制将市场从ASML营收占比41压缩至19,全球光刻供应链正从体化走向区域化割裂。
全球半体光刻正在告别"赢通吃"的黄金时代,迎来技术路径分化、商业模式多元、地缘格局割裂的多化时代。对于ASML而言,它仍是行业不可替代的存在——摩根大通和摩根士丹利的乐观预期证明了这点。但"不可替代"不等于"枕忧"。当大的客户对贵的设备说"暂不量产",当大的市场被政策强行隔离,当新光源与新范式在边缘野蛮生长——光刻巨头需要回答的问题已不再是"谁能挑战我",而是"增长的限在哪里"。
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